赶快注册并登录访问我们网站,呈现更多精彩内容!
您需要 登录 才可以下载或查看,没有帐号?注册加入
x
半导体是现代电子业的基础,业包括我们热爱的音响业。下面详细展示了Intel从沙子到芯片的全过程,满足你的好奇心。" o5 a5 h; n, l3 X- D4 R8 p
不知道发到这个版块是否合适,不合适的话请版主迁移~~{:soso_e181:}
9 V% j* W I# @1 Y5 j5 U5 v& L0 w* p* w; R1 O* Y Z: Q
简单地说,处理器的制造过程可以大致分为沙子原料(石英)、硅锭、晶圆、光刻(平版印刷)、蚀刻、离子注入、金属沉积、金属层、互连、晶圆测试与切割、核心封装、等级测试、包装上市等诸多步骤,而且每一步里边又包含更多细致的过程。' |+ n4 P( _% ^. [' J
, K5 i/ b" ~+ o7 L8 O1 q
下边就图文结合,一步一步看看主要的过程:
( \) p# }/ C# C4 q2 K4 j' y
9 G! k, g" Z1 { ^% i沙子:硅是地壳内第二丰富的元素,而脱氧后的沙子(尤其是石英)最多包含25%的硅元素,以二氧化硅(SiO2)的形式存在,这也是半导体制造产业的基础。$ ]% @6 @, J6 P) l; z; g3 X
5 s& J& [ e0 d( q7 X5 W
9 W9 {; @# W& Z% {% K4 B" e( [9 B
# ]4 ]& z8 D/ l6 `. z6 D. T硅熔炼:12英寸/300毫米晶圆级,下同。通过多步净化得到可用于半导体制造质量的硅,学名电子级硅(EGS),平均每一百万个硅原子中最多只有一个杂质原子。此图展示了是如何通过硅净化熔炼得到大晶体的,最后得到的就是硅锭(Ingot)。; D* k, Y) ~, [! m* q6 M
" w) Q# b. ?2 ?
! f/ k! K# J: x" s$ p5 Y4 H+ m% p3 t1 S8 S6 Q O9 F
单晶硅锭:整体基本呈圆柱形,重约100千克,硅纯度99.9999%。7 F0 W8 A( t: O' I% m2 \9 M2 E
, _1 z6 M7 T& t
# c: \; Q5 d, z9 P2 a
5 H- ?0 {" x; j- u; n* E2 C- |( x硅锭切割:横向切割成圆形的单个硅片,也就是我们常说的晶圆(Wafer)。顺便说,这下知道为什么晶圆都是圆形的了吧?
- j& z* o$ B3 d: R6 z3 |
5 h6 _" n! X. _
8 Q3 f. R e, f% {* P, ?3 [/ S H
晶圆:切割出的晶圆经过抛光后变得几乎完美无瑕,表面甚至可以当镜子。事实上,Intel自己并不生产这种晶圆,而是从第三方半导体企业那里直接购买成品,然后利用自己的生产线进一步加工,比如现在主流的45nm HKMG(高K金属栅极)。值得一提的是,Intel公司创立之初使用的晶圆尺寸只有2英寸/50毫米。; D6 |: Q8 C" J
5 E2 Z" Z' f. j' {& G$ u3 ?3 n4 c: l1 Z( {. K; u) \: k( H) x
9 h+ ~% d6 t5 w1 P9 t3 x
光刻胶(Photo Resist):图中蓝色部分就是在晶圆旋转过程中浇上去的光刻胶液体,类似制作传统胶片的那种。晶圆旋转可以让光刻胶铺的非常薄、非常平。4 s- ~4 `; ]- ?1 h' k3 @# l
|6 e# S" c1 v8 F; L
0 ?/ R6 }! g; ^8 \4 [5 W. ~光刻一:光刻胶层随后透过掩模(Mask)被曝光在紫外线(UV)之下,变得可溶,期间发生的化学反应类似按下机械相机快门那一刻胶片的变化。掩模上印着预先设计好的电路图案,紫外线透过它照在光刻胶层上,就会形成微处理器的每一层电路图案。一般来说,在晶圆上得到的电路图案是掩模上图案的四分之一。9 U6 u' o5 ], f# Q4 G+ Q g
$ N. i7 E; N3 w: R! G0 r) R4 G6 f# L+ i
0 L1 H. q$ S8 n) r( I6 X# T9 b
5 g9 `2 ~+ n7 i/ p光刻二:由此进入50-200纳米尺寸的晶体管级别。一块晶圆上可以切割出数百个处理器,不过从这里开始把视野缩小到其中一个上,展示如何制作晶体管等部件。晶体管相当于开关,控制着电流的方向。现在的晶体管已经如此之小,一个针头上就能放下大约3000万个。
" T# K+ Y0 g. V/ G1 G+ M
2 o) S* j9 e/ l* I3 S: o0 l- C1 U" X) x# K% t
' ]# s, e" L N+ M8 d溶解光刻胶:光刻过程中曝光在紫外线下的光刻胶被溶解掉,清除后留下的图案和掩模上的一致。
0 V' a# Q% t8 J
" \+ B. `; j2 K/ `# N j
. V) n# c( T# v5 E4 Z
, T/ @2 y: I4 c) P' C* ~; Z蚀刻:使用化学物质溶解掉暴露出来的晶圆部分,而剩下的光刻胶保护着不应该蚀刻的部分。/ J6 T" G. V; J! ~, S
, R+ h0 Q8 }1 m5 X* v$ V4 C- p
! F9 }7 i" A0 E9 L' Z6 H# p* n
K8 T' @0 N7 C/ \* s1 o% H清除光刻胶:蚀刻完成后,光刻胶的使命宣告完成,全部清除后就可以看到设计好的电路图案。
& O/ X6 ?1 C6 z w7 z' L
: F h0 Z5 a+ `& H7 {4 l% t' p6 s3 i8 m. P8 `( A& {$ |
光刻胶:再次浇上光刻胶(蓝色部分),然后光刻,并洗掉曝光的部分,剩下的光刻胶还是用来保护不会离子注入的那部分材料。
X. ], h3 y8 `- r# A1 u
) ~$ E2 L$ j* P, y0 H3 S
X8 |# i1 Y2 l1 j& x: Q, U0 j6 U+ Q7 F4 g* U3 {- n/ M
离子注入(Ion Implantation):在真空系统中,用经过加速的、要掺杂的原子的离子照射(注入)固体材料,从而在被注入的区域形成特殊的注入层,并改变这些区域的硅的导电性。经过电场加速后,注入的离子流的速度可以超过30万千米每小时。/ \% ~5 u3 v3 m$ x1 k, V, B
+ W9 \/ F% V6 g8 C0 |- [) p
1 I, I3 @& K: b @
* r2 T" A5 u9 P/ T/ N清除光刻胶:离子注入完成后,光刻胶也被清除,而注入区域(绿色部分)也已掺杂,注入了不同的原子。注意这时候的绿色和之前已经有所不同。& r/ P: `2 b& V ]. O
2 V3 L* C+ w2 U3 @% B' }1 H
2 n; T* A+ V# w! x0 |, n! \2 \晶体管就绪:至此,晶体管已经基本完成。在绝缘材(品红色)上蚀刻出三个孔洞,并填充铜,以便和其它晶体管互连。4 r) Y5 F% J% y! r* u4 l
# Y5 B: G/ X- i# v* i5 D* I% N2 C" `: }
0 g7 I; A7 g @! G! P: Y电镀:在晶圆上电镀一层硫酸铜,将铜离子沉淀到晶体管上。铜离子会从正极(阳极)走向负极(阴极)。
$ P% \/ R! L* X! f; V
0 g$ _! j% s) Y8 i
; M4 ~0 o. | c. m& }. _$ p7 o
: K4 N. M9 a8 O% l铜层:电镀完成后,铜离子沉积在晶圆表面,形成一个薄薄的铜层。6 {$ w S$ f. s( ]. B# M
6 J6 o( B! y. D
, ~$ L e- k4 w: l' I3 s
* _1 q9 ?" S4 y7 e8 G9 o抛光:将多余的铜抛光掉,也就是磨光晶圆表面。6 g; @8 B) {8 f: B7 S
: P. N# l& B6 Q4 d9 [
) _/ G' @3 g' P2 d7 h& r5 i2 X
- E6 \) w1 X* ~6 d* P1 \# }
金属层:晶体管级别,六个晶体管的组合,大约500纳米。在不同晶体管之间形成复合互连金属层,具体布局取决于相应处理器所需要的不同功能性。芯片表面看起来异常平滑,但事实上可能包含20多层复杂的电路,放大之后可以看到极其复杂的电路网络,形如未来派的多层高速公路系统。+ X" p2 e5 k3 R1 ]) {
2 C2 d6 ^; C. l
$ `9 F8 k* X" l5 s. h4 b$ X: X( I3 L5 U& a1 F: U6 p+ C# T
晶圆测试:内核级别,大约10毫米/0.5英寸。图中是晶圆的局部,正在接受第一次功能性测试,使用参考电路图案和每一块芯片进行对比。/ n8 J$ w* y) {0 h2 m! ^' w
|